品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 23 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，20A

功率 - 最大值： 56 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 40 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/73ns

测试条件： 400V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 23 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，20A

功率 - 最大值： 56 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 40 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/73ns

测试条件： 400V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）