RGCL60TS60DGC11厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥49.085297 +200：￥19.592595 +450：￥18.936959 +900：￥18.609141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册未分类	+10：￥46.942964 +30：￥44.358924 +120：￥38.329572 +510：￥32.623211 +1020：￥26.91685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册未分类	+10：￥18.558762 +50：￥16.701948 +100：￥13.10489 +500：￥11.690753 +1000：￥11.006291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥27.300208 +10：￥24.525156 +100：￥20.093516 +500：￥17.10524 +1000：￥14.581688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥86.437289 +10：￥57.752349 +450：￥34.895117 +900：￥33.026083	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N 下载数据手册未分类	+1：￥85.567729 +10：￥62.683336 +100：￥56.879324 +250：￥37.974825 +450：￥35.653221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，30A 功率 - 最大值： 111 W 开关能量： 770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 68 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 44ns/186ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 58 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247N 温度： -40°C # 175°C（TJ）

RGCL60TS60DGC11参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	48 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.8V 15V，30A
功率 - 最大值:	111 W
开关能量:	770µJ（开），1.11mJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	68 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	44ns/186ns
测试条件:	400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	58 ns
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	TO-247N
温度:	-40°C # 175°C（TJ）