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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGT50TM65DGC9_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT TRNCH FLD 650V 21A TO220NFM

晶体管-IGBT

+1:

¥49.206842

+10:

¥41.34801

+100:

¥33.449241

+500:

¥29.732913

+1000:

¥25.458766

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 21 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 47 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/88ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220NFM

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGT50TM65DGC9_未分类
RGT50TM65DGC9
授权代理品牌

IGBT TRNCH FLD 650V 21A TO220NFM

未分类

+1000:

¥31.699387

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 21 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 47 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/88ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220NFM

温度: -40°C # 175°C(TJ)

RGT50TM65DGC9参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 21 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A
功率 - 最大值: 47 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 49 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/88ns
测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 58 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220NFM
温度: -40°C # 175°C(TJ)