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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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RGT16NS65DGC9 授权代理品牌 | IGBT | +1: ¥43.412176 +10: ¥36.068011 +100: ¥28.560642 +250: ¥27.907828 +500: ¥23.990941 |
RGT16NS65DGC9参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 16 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 24 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.1V 15V,8A |
功率 - 最大值: | 94 W |
开关能量: | - |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 21 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 13ns/33ns |
测试条件: | 400V,8A,10欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 42 ns |
工作温度: | -40°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装: | TO-262 |
温度: | -40°C # 175°C(TJ) |