RD3H200SNFRATL厂家价格_数据手册

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	RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.111161 +200：￥4.259321 +500：￥3.40736 +1000：￥2.839507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.223235 +200：￥2.021545 +500：￥1.955981 +1000：￥1.9232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册未分类	+26：￥9.707354 +50：￥6.477929 +100：￥5.174776 +500：￥4.85373 +1000：￥4.624593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥17.883072 +50：￥11.922163 +100：￥9.537696 +500：￥8.941536 +1000：￥8.577274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.961666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.489753 +10：￥19.353723 +100：￥15.560652 +500：￥12.784073 +1000：￥10.592637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.489753 +10：￥19.353723 +100：￥15.560652 +500：￥12.784073 +1000：￥10.592637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

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	RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 20A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥25.003085 +10：￥19.610262 +100：￥16.668724 +250：￥15.246979 +500：￥13.841578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3H200SNFRATL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 45V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+45：￥6.741918 +50：￥6.212197 +100：￥5.707026 +200：￥5.538005 +500：￥5.320828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RD3H200SNFRATL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 45V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+93：￥8.716338 +100：￥8.326365 +250：￥7.9921 +500：￥7.704106 +1000：￥7.452935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RD3H200SNFRATL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	950 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）