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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.915159 +10：￥5.94352 +30：￥4.952893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.059636 +10：￥2.983145 +30：￥2.939436 +100：￥2.884799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RFD3055LESM9A 授权代理品牌	RFD3055LESM9A VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.951293 +20：￥1.884846 +200：￥1.818397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD3055LESM9A 授权代理品牌	RFD3055LESM9A BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.5386 +500：￥1.42029 +2000：￥1.301866 +6000：￥1.183671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD3055LESM9A JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RFD3055LESM9A JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.320388 +2500：￥1.297466 +7500：￥1.262969 +12500：￥1.228587 +32500：￥1.182514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.690437 +5000：￥1.601486 +12500：￥1.482864 +25000：￥1.468203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.971069 +5000：￥3.845771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.015017 +10：￥7.328047 +100：￥5.38818 +500：￥4.886996 +1000：￥4.728656	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA
RFD3055LESM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.015017 +10：￥7.328047 +100：￥5.38818 +500：￥4.886996 +1000：￥4.728656	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA

RFD3055LESM9A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	107 毫欧 8A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）