锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NSBC113EDXV6T1G5 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSBC113EDXV6T1G_未分类
NSBC113EDXV6T1G
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

未分类

+1:

¥1.478787

+200:

¥0.572261

+500:

¥0.552155

+1000:

¥0.542321

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 1 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 1 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 3 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSBC113EDXV6T1G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

晶体管-双极

+4000:

¥1.486741

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 1 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 1 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 3 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

NSBC113EDXV6T1G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 500mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSBC113EDXV6T1G_晶体管
NSBC113EDXV6T1G
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-563-6

系列: NSBC113EDXV6

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

配置: Dual

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 1 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min: 3

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 357 mW

商标: onsemi

直流电流增益 hFE 最大值: 3

高度: 0.55 mm

长度: 1.6 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度: 1.2 mm

单位重量: 3 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSBC113EDXV6T1G_未分类
NSBC113EDXV6T1G
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

未分类

+8000:

¥1.116535

+12000:

¥1.105112

+16000:

¥1.095117

+20000:

¥1.083695

+24000:

¥1.072273

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSBC113EDXV6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 1 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 1 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 3 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: