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NTMYS011N04CTWG_null
NTMYS011N04CTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

+1:

¥21.821758

+200:

¥8.44678

+500:

¥8.151743

+1000:

¥7.998762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMYS011N04CTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥14.750939

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTMYS011N04CTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥33.500377

+10:

¥30.043801

+100:

¥24.152233

+500:

¥19.843115

+1000:

¥16.441583

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

NTMYS011N04CTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥33.500377

+10:

¥30.043801

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¥24.152233

+500:

¥19.843115

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¥16.441583

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMYS011N04CTWG_未分类
NTMYS011N04CTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

未分类

+1:

¥38.367434

+10:

¥34.557903

+25:

¥33.469465

+100:

¥27.755165

+500:

¥22.857195

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

NTMYS011N04CTWG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK4(5x6)
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
温度: -55°C # 175°C(TJ)