NVMYS025N06CLTWG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册	+1：￥4.272563 +10：￥3.56229 +30：￥3.20169 +100：￥2.84109 +500：￥2.633472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.987567 +6000：￥1.882949 +9000：￥1.743516 +30000：￥1.726225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.862115 +6000：￥4.60619 +9000：￥4.265103 +30000：￥4.222803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.774865 +10：￥11.085745 +100：￥7.677694 +500：￥6.414685 +1000：￥5.459269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1023, 4-LFPAK 供应商器件封装： 4-LFPAK
NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.774865 +10：￥11.085745 +100：￥7.677694 +500：￥6.414685 +1000：￥5.459269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1023, 4-LFPAK 供应商器件封装： 4-LFPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS025N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 60V 20A 下载数据手册未分类	+1：￥14.765787 +10：￥10.384728 +100：￥8.307783 +500：￥7.431571 +1000：￥6.328195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 3000

NVMYS025N06CLTWG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27.5 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），24W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LFPAK4（5x6）
封装/外壳:	SOT-1023，4-LFPAK
温度:	-55°C # 175°C（TJ）