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NSBC114YDP6T5G_未分类
NSBC114YDP6T5G
ON(安森美)
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

未分类
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

自营 国内现货
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NSBC114YDP6T5G_晶体管-双极
NSBC114YDP6T5G
ON(安森美)
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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晶体管-双极
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￥0.388958

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￥0.345752

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￥0.32415

+56000：

￥0.295598

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

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NSBC114YDP6T5G_晶体管-双极
NSBC114YDP6T5G
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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晶体管-双极
+8000：

￥0.951492

+16000：

￥0.845802

+24000：

￥0.792957

+56000：

￥0.723111

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

NSBC114YDP6T5G_晶体管-双极
NSBC114YDP6T5G
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晶体管-双极
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￥1.585915

+1000：

￥1.215855

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 339mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-963

NSBC114YDP6T5G_晶体管-双极
NSBC114YDP6T5G
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晶体管-双极
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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 339mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-963

Mouser
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NSBC114YDP6T5G_晶体管
NSBC114YDP6T5G
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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晶体管
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品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-963-6

系列： NSBC114YDP6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： NPN

典型输入电阻器： 10 kOhms

典型电阻器比率： 0.21

安装风格： SMD/SMT

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 100 mA

峰值直流集电极电流： 100 mA

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 80

高度： 0.37 mm

长度： 1 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 0.8 mm

单位重量： 1.100 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NSBC114YDP6T5G_未分类
NSBC114YDP6T5G
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R

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未分类
+8000：

￥1.319282

+16000：

￥1.307859

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￥0.959477

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￥0.768152

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￥0.645362

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货期：7~10 天

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NSBC114YDP6T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 339mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-963
供应商器件封装: SOT-963
温度: