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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | NSVMUN5331DW1T1G 授权代理品牌 | +3000: ¥0.653595 +6000: ¥0.647354 +9000: ¥0.641116 +12000: ¥0.634876 +15000: ¥0.628636 | 暂无参数 |
NSVMUN5331DW1T1G参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1): | 2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2): | 2.2 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 8 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 250mV 5mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
频率 - 跃迁: | - |
功率 - 最大值: | 250mW |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
温度: |