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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVB143ZPDXV6T1G_null
NSVB143ZPDXV6T1G
授权代理品牌

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

+1:

¥0.831197

+200:

¥0.321663

+500:

¥0.310359

+1000:

¥0.304773

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

自营 国内现货
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NSVB143ZPDXV6T1G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

晶体管-双极

+4000:

¥0.641821

+8000:

¥0.602902

+12000:

¥0.563984

+28000:

¥0.517337

+100000:

¥0.488037

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

Digi-Key
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NSVB143ZPDXV6T1G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

晶体管-双极

+4000:

¥1.570063

+8000:

¥1.474857

+12000:

¥1.379653

+28000:

¥1.265543

+100000:

¥1.193868

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

NSVB143ZPDXV6T1G_未分类
NSVB143ZPDXV6T1G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

未分类

+3410:

¥1.224061

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: SOT-563, SOT-666

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max: 500mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition: -

Resistor - Base (R1): 4.7kOhms

Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms

Supplier Device Package: SOT-563

Part Status: Active

Mouser
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NSVB143ZPDXV6T1G_晶体管
NSVB143ZPDXV6T1G
授权代理品牌

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

晶体管

+1:

¥6.594302

+10:

¥5.291525

+100:

¥3.602741

+500:

¥2.702057

+1000:

¥2.026543

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: DTC143ZP

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格: AEC-Q101

单位重量: 3.120 mg

温度: ~

NSVB143ZPDXV6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: