品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 500mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition： -

Resistor - Base (R1)： 47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-563

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 500mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition： -

Resistor - Base (R1)： 47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-563

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 500mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition： -

Resistor - Base (R1)： 47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-563

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 500mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition： -

Resistor - Base (R1)： 47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms

Supplier Device Package： SOT-563

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： NSBA144EDXV6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 47 kOhms

典型电阻器比率： 1

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： - 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 80

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 1.2 mm

单位重量： 3 mg

温度： - 55 C~+ 150 C