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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN531335DW1T3G_null
NSVMUN531335DW1T3G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88

+1:

¥0.847603

+200:

¥0.328012

+500:

¥0.316485

+1000:

¥0.310788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧,2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧,47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 385mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN531335DW1T3G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88

晶体管-双极

+1:

¥2.309574

+200:

¥0.89381

+500:

¥0.862437

+1000:

¥0.846915

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧,2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧,47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 385mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN531335DW1T3G_晶体管
NSVMUN531335DW1T3G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Reel

封装/外壳: *

系列:

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格: AEC-Q101

温度: ~

NSVMUN531335DW1T3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧,2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧,47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 385mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: