品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 408mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 408mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-963

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max： 408mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition： -

Resistor - Base (R1)： 22kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 22kOhms

Supplier Device Package： SOT-963

Part Status： Active

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： NSBA124EDP6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

单位重量： 1.190 mg

温度： ~