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NSBA114TDXV6T5G_null
NSBA114TDXV6T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
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￥0.310286

+200：

￥0.120078

+500：

￥0.115857

+1000：

￥0.113773

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Digi-Key
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NSBA114TDXV6T5G_晶体管-双极
NSBA114TDXV6T5G
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

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晶体管-双极
+8000：

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库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Mouser
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NSBA114TDXV6T5G_晶体管
NSBA114TDXV6T5G
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： NSBA114TDXV6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 10 kOhms

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 160

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： - 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 160

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 1.2 mm

单位重量： 3 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NSBA114TDXV6T5G参数规格

属性 参数值
系列: -
晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率-最大值: 500mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-563, SOT-666