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NSVBC124XDXV6T1G_null
NSVBC124XDXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
+1：

￥0.831197

+200：

￥0.321663

+500：

￥0.310359

+1000：

￥0.304773

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： Automotive, AEC-Q101

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Digi-Key
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NSVBC124XDXV6T1G_晶体管-双极
NSVBC124XDXV6T1G
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TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563

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晶体管-双极
+4000：

￥1.239236

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Mouser
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NSVBC124XDXV6T1G_晶体管
NSVBC124XDXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563

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晶体管
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￥

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列：

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极—基极电压 VCBO： 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 0.25 V

Pd-功率耗散： 357 mW

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

集电极连续电流： 100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

温度： - 55 C~+ 150 C

NSVBC124XDXV6T1G参数规格

属性 参数值
系列: Automotive, AEC-Q101
晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
功率-最大值: 500mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-563, SOT-666