锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NSVMUN5314DW1T3G11 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_null
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

+1:

¥0.601874

+200:

¥0.232918

+500:

¥0.224733

+1000:

¥0.220688

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_未分类
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

未分类

+10000:

¥0.408006

+30000:

¥0.40457

+100000:

¥0.401258

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

NSVMUN5314DW1T3G_晶体管-双极
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

晶体管-双极

+1:

¥0.74088

+100:

¥0.474626

+500:

¥0.393593

+1000:

¥0.358864

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_晶体管-双极
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

晶体管-双极

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

晶体管-双极

+10000:

¥0.480289

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

晶体管-双极

+10000:

¥1.174914

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

温度:

NSVMUN5314DW1T3G_未分类
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

未分类

+10000:

¥1.300743

+30000:

¥1.281462

+50000:

¥1.204491

+100000:

¥1.192584

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max: 250mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition: -

Resistor - Base (R1): 10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms

Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

Part Status: Active

NSVMUN5314DW1T3G_未分类
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

未分类

+1:

¥5.528434

+10:

¥4.337694

+100:

¥2.601199

+500:

¥2.408979

+1000:

¥1.637977

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max: 250mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition: -

Resistor - Base (R1): 10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms

Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

Part Status: Active

NSVMUN5314DW1T3G_未分类
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

未分类

+1:

¥5.528434

+10:

¥4.337694

+100:

¥2.601199

+500:

¥2.408979

+1000:

¥1.637977

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max: 250mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition: -

Resistor - Base (R1): 10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms

Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

Part Status: Active

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5314DW1T3G_未分类
NSVMUN5314DW1T3G
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

未分类

+1:

¥5.060017

+10:

¥3.558335

+100:

¥2.252525

+1000:

¥0.995681

+2500:

¥0.8651

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 10000

NSVMUN5314DW1T3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: