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NSVMUN5215DW1T1G_未分类
NSVMUN5215DW1T1G
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

未分类
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￥0.278034

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￥0.107597

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￥0.103815

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￥0.101947

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

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NSVMUN5215DW1T1G
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TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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未分类
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￥1.076787

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSVMUN5215DW1T1G_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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晶体管-双极
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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自营 国内现货
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NSVMUN5215DW1T1G_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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晶体管-双极
+3000：

￥0.80637

+6000：

￥0.757457

+15000：

￥0.708613

+30000：

￥0.649973

+75000：

￥0.625517

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

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NSVMUN5215DW1T1G_晶体管-双极
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晶体管-双极
+3000：

￥1.393404

+6000：

￥1.308883

+15000：

￥1.22448

+30000：

￥1.123151

+75000：

￥1.080892

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

NSVMUN5215DW1T1G_晶体管-双极
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晶体管-双极
+1：

￥4.853412

+10：

￥3.965592

+100：

￥2.702521

+500：

￥2.026832

+1000：

￥1.520066

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NSVMUN5215DW1T1G_晶体管-双极
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授权代理品牌

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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晶体管-双极
+1：

￥4.853412

+10：

￥3.965592

+100：

￥2.702521

+500：

￥2.026832

+1000：

￥1.520066

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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未分类
+1：

￥5.578244

+10：

￥4.557834

+100：

￥3.115653

+500：

￥2.340142

+1000：

￥1.755107

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列：

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 6.200 mg

温度： ~

艾睿
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NSVMUN5215DW1T1G
授权代理品牌

Dual NPN Bias Resistor Transistors

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未分类
+3000：

￥1.184099

+6000：

￥1.17231

+9000：

￥1.114677

+15000：

￥1.104198

+24000：

￥1.100269

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NSVMUN5215DW1T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: