品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 339mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度：

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-963-6

系列： NSBC143ZDP6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： NPN

典型输入电阻器： 4.7 kOhms

典型电阻器比率： 0.1

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 231 mW

商标： onsemi

集电极—基极电压 VCBO： 50 V

高度： 0.8 mm

长度： 1 mm

工作温度范围： - 65 C to + 150 C

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

类型： Digital Transistor

宽度： 0.37 mm

单位重量： 1.190 mg

温度： - 65 C~+ 150 C