品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： NSBC124EPDXV6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 22 kOhms

典型电阻器比率： 1

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 60

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 1.2 mm

单位重量： 3 mg

温度： - 55 C~+ 150 C