品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 250nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： PZTA92

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 300 V

集电极—基极电压 VCBO： - 300 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 500 mV

最大直流电集电极电流： - 500 mA

Pd-功率耗散： 1.5 W

增益带宽产品fT： 50 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 110 mg

温度： -~+ 150 C