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NVMD3P03R2G_射频晶体管
NVMD3P03R2G
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MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
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￥7.737034

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Mouser
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晶体管
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品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： NTMD3P03

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 3.05 A

Rds On-漏源导通电阻： 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 25 nC

Pd-功率耗散： 2 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

单位重量： 74 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NVMD3P03R2G参数规格

属性 参数值
系列: *
安装类型: -
工作温度: -
封装/外壳: -
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