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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLJD2105LTBG_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

射频晶体管

+1250:

¥1.1583

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 520mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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NTLJD2105LTBG_射频晶体管

P-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+1250:

¥2.833509

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

NTLJD2105LTBG_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 520mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLJD2105LTBG_射频晶体管
NTLJD2105LTBG
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 520mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTLJD2105LTBG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 520mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)
温度: -55°C # 150°C(TJ)