品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 22.5A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），125W（Tj）

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 22.5A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），125W（Tj）

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： TO-263-3

系列： NTB45N06L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 45 A

Rds On-漏源导通电阻： 28 mOhms

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

产品类型： MOSFET

单位重量： 4 g

温度： ~