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搜索 NTMD3P03R2G 共 15 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
+1：

￥11.257598

+10：

￥7.505146

+30：

￥6.254248

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.34A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 24V

功率 - 最大值： 730mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
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NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
+1：

￥13.877633

+10：

￥12.019997

+30：

￥10.861706

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.34A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 24V

功率 - 最大值： 730mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C (TJ)

NTMD3P03R2G_未分类
NTMD3P03R2G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

2个P沟道 30V 7.3A

未分类
+1：

￥2.482506

+10：

￥2.047537

+30：

￥1.856575

+100：

￥1.665613

+500：

￥1.538305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： 2个P沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 7.3A

功率(Pd)： 5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 35mΩ@10V,6.3A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 15nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 1.35nF@15V

反向传输电容(Crss@Vds)： 185pF@15V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

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NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
+1：

￥5.766013

+59：

￥5.443064

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.34A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 24V

功率 - 最大值： 730mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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NTMD3P03R2G_未分类
NTMD3P03R2G
授权代理品牌

NTMD3P03R2G BYCHIP/百域芯

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未分类
+10：

￥1.380815

+500：

￥1.274661

+2000：

￥1.168391

+6000：

￥1.062237

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
NTMD3P03R2G_未分类
NTMD3P03R2G
授权代理品牌

NTMD3P03R2G VBSEMI/微碧半导体

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未分类
+5：

￥1.429435

+25：

￥1.393665

+50：

￥1.35801

+100：

￥1.32224

+150：

￥1.298392

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
NTMD3P03R2G_未分类
NTMD3P03R2G
UMW(友台半导体)
授权代理品牌

NTMD3P03R2G UMW/友台半导体

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未分类
+3000：

￥0.425195

+6000：

￥0.402854

+9000：

￥0.382711

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.34A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 24V

功率 - 最大值： 730mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
+2500：

￥8.417218

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.34A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 24V

功率 - 最大值： 730mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C (TJ)

NTMD3P03R2G_射频晶体管
NTMD3P03R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

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射频晶体管
+1：

￥17.426075

+10：

￥15.612629

+100：

￥12.1685

+500：

￥10.052718

+1000：

￥8.417218

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SOIC

NTMD3P03R2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.34A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 85mOhm 3.05A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 750pF 24V
功率 - 最大值: 730mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C (TJ)