NVJD5121NT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.296739 +50：￥1.012303 +150：￥0.890463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.6534 +100：￥0.610687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.37248 +3000：￥1.200921 +6000：￥1.11514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.48086 +6000：￥0.439648 +9000：￥0.418448 +15000：￥0.394495 +21000：￥0.380174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.092322 +6000：￥1.014301 +9000：￥0.936277 +15000：￥0.916695 +21000：￥0.880131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.895563 +10：￥2.830247 +100：￥1.482439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.895563 +10：￥2.830247 +100：￥1.482439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 下载数据手册未分类	+1：￥6.13567 +10：￥4.692959 +100：￥2.91859 +500：￥2.006531 +1000：￥1.525627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.303089 +10：￥1.343469 +25：￥1.318705 +100：￥1.25989 +250：￥1.202622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJD5121NT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+10：￥1.341384 +25：￥1.244182 +100：￥0.918556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVJD5121NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	295mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26pF 20V
功率 - 最大值:	250mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88/SC70-6/SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）