NTLJD3119CTBG厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NTLJD3119CTBG 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.9368 +10：￥4.19628 +30：￥3.45576 +100：￥3.0855 +500：￥2.83866	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： µCool™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 271pF 10V 功率 - 最大值： 710mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.667739 +10：￥2.352652 +30：￥2.300137 +100：￥2.226617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： µCool™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 271pF 10V 功率 - 最大值： 710mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.15425 +25：￥1.0395 +50：￥0.999 +100：￥0.96525 +250：￥0.9315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： µCool™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 271pF 10V 功率 - 最大值： 710mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.823601 +25：￥2.542893 +50：￥2.443818 +100：￥2.361257 +250：￥2.278696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： µCool™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 271pF 10V 功率 - 最大值： 710mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.783877 +10：￥7.678809 +25：￥7.214113 +100：￥5.237741 +250：￥5.051014	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： µCool™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-WDFN (2x2)
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： µCool™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-WDFN (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN 下载数据手册晶体管	+1：￥11.747922 +10：￥10.381884 +100：￥7.963998 +500：￥6.297432 +1000：￥5.040679	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： WDFN-6 系列： NTLJD3119C 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel, P-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 21 V, 20 V Id-连续漏极电流： 3.8 A Rds On-漏源导通电阻： 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V Qg-栅极电荷： 3.7 nC, 5.5 nC Pd-功率耗散： 710 mW 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Dual 下降时间： 4.7 ns, 13.2 ns 正向跨导 - 最小值： 4.2 S, 3.1 S 高度： 0.75 mm 长度： 2 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 4.7 ns, 13.2 ns 晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 11.1 ns, 13.7 ns 典型接通延迟时间： 3.8 ns, 5.2 ns 宽度： 2 mm 单位重量： 20 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJD3119CTBG 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.60375 +6000：￥3.553777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTLJD3119CTBG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	µCool™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A，2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 3.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	271pF 10V
功率 - 最大值:	710mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-WDFN（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）