品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，50A

功率 - 最大值： 500 W

开关能量： 800µJ（开），600µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 310 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 110ns/270ns

测试条件： 400V，50A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 67 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，50A

功率 - 最大值： 500 W

开关能量： 800µJ（开），600µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 310 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 110ns/270ns

测试条件： 400V，50A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 67 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，50A

功率 - 最大值： 500 W

开关能量： 800µJ（开），600µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 310 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 110ns/270ns

测试条件： 400V，50A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 67 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： NGTB50N60L2

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

商标： onsemi

产品类型： IGBT Transistors

温度： ~