NGTB25N120FL3WG厂家价格_数据手册

搜索 NGTB25N120FL3WG 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥25.483205 +10：￥22.257466 +50：￥19.031727 +100：￥16.128574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.45523 +10：￥21.144267 +30：￥19.177359 +100：￥17.188596 +500：￥16.270705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	+10：￥44.640692 +100：￥43.877604 +500：￥43.496059 +1000：￥43.496059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	+30：￥54.179258 +60：￥52.554137 +120：￥49.367239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+30：￥39.557435 +60：￥38.898168 +90：￥38.238901 +14000：￥31.316304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥35.977927 +30：￥28.73369 +120：￥25.709208 +510：￥22.684784 +1020：￥20.416364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥88.011542 +30：￥70.290218 +120：￥62.891534 +510：￥55.492992 +1020：￥49.943835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥100.610416 +10：￥99.630444 +30：￥80.19434 +120：￥71.211268 +180：￥63.371496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO247-3 系列：产品种类： IGBT 晶体管技术： Si 安装风格： Through Hole 配置： Single 集电极—发射极最大电压 VCEO： 1.2 kV 集电极—射极饱和电压： 1.7 V 栅极/发射极最大电压： 20 V 在25 C的连续集电极电流： 100 A Pd-功率耗散： 349 W 商标： onsemi 栅极—射极漏泄电流： 200 nA 产品类型： IGBT Transistors 单位重量： 4.083 g 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥72.23847 +50：￥71.52092 +100：￥70.803373 +250：￥70.101423 +500：￥69.399473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NGTB25N120FL3WG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.4V 15V，25A
功率 - 最大值:	349 W
开关能量:	1mJ（开），700µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	136 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	15ns/109ns
测试条件:	600V，25A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	114 ns
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	+10：￥44.640692 +100：￥43.877604 +500：￥43.496059 +1000：￥43.496059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	+30：￥54.179258 +60：￥52.554137 +120：￥49.367239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NGTB25N120FL3WG ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 100A TO247 下载数据手册晶体管-IGBT	+30：￥39.557435 +60：￥38.898168 +90：￥38.238901 +14000：￥31.316304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.4V 15V，25A 功率 - 最大值： 349 W 开关能量： 1mJ（开），700µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 136 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/109ns 测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 114 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）