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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | NVMFD5877NLT1G | +1500: ¥5.15576 | 暂无参数 | ||
![]() | NVMFD5877NLT1G | +1: ¥7.978508 +10: ¥7.864284 +100: ¥7.096131 +500: ¥6.40508 +1000: ¥5.956752 | 暂无参数 |
NVMFD5877NLT1G参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 39 毫欧 7.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 540pF 25V |
功率 - 最大值: | 3.2W |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |