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NVMFD5877NLT1G_未分类
NVMFD5877NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

未分类

+1:

¥7.44795

+10:

¥7.263916

+30:

¥7.144836

+100:

¥7.025755

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 39 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVMFD5877NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 39 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5877NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥10.122032

+10:

¥9.841324

+30:

¥9.659689

+100:

¥9.478053

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NVMFD5877NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥10.122032

+10:

¥9.841324

+30:

¥9.659689

+100:

¥9.478053

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
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NVMFD5877NLT1G_晶体管
NVMFD5877NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SO-8FL-Dual-8

系列: NVMFD5877NL

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 5.9 nC

Pd-功率耗散: 23 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Dual

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 2 N-Channel

单位重量: 37.400 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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NVMFD5877NLT1G_未分类
NVMFD5877NLT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+1500:

¥5.15576

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NVMFD5877NLT1G_未分类
NVMFD5877NLT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+1:

¥7.978508

+10:

¥7.864284

+100:

¥7.096131

+500:

¥6.40508

+1000:

¥5.956752

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMFD5877NLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 39 毫欧 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V
功率 - 最大值: 3.2W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
温度: -55°C # 175°C(TJ)