品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 940pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 940pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 940pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 750mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.9A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 940pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 7.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.7nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Active

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 750mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.9A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 940pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 7.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.7nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Active

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： NTMD4820N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6.4 A

Rds On-漏源导通电阻： 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 7.7 nC

Pd-功率耗散： 1.28 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 4 ns

正向跨导 - 最小值： 21 S

高度： 1.5 mm

长度： 5 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 4 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 21 ns

典型接通延迟时间： 9.4 ns

宽度： 4 mm

单位重量： 74 mg

温度： - 55 C~+ 150 C