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NGTB20N120IHRWG
ON(安森美)
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IGBT 1200V 40A 384W TO247
+1：

￥38.660681

+200：

￥14.97036

+500：

￥14.434924

+1000：

￥14.183596

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -40°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

Digi-Key
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NGTB20N120IHRWG_晶体管-IGBT
NGTB20N120IHRWG
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IGBT 1200V 40A 384W TO247

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晶体管-IGBT
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库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -40°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247

Mouser
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NGTB20N120IHRWG_晶体管
NGTB20N120IHRWG
ON(安森美)
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IGBT 1200V 40A 384W TO247

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247

系列： NGTB20N120IHR

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 2.1 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 40 A

Pd-功率耗散： 384 W

商标： onsemi

栅极—射极漏泄电流： 100 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.500 g

温度： - 55 C~+ 175 C

NGTB20N120IHRWG参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -40°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247