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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTHD4102PT1G CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥2.358653 +3000：￥1.709125 +15000：￥1.538273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册未分类	+1：￥15.292237 +10：￥13.464731 +30：￥12.319913 +100：￥11.143588 +500：￥10.618442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.883197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+100：￥6.37592 +500：￥5.265289 +6000：￥4.154779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+5：￥10.012626 +100：￥7.811117 +500：￥6.455314 +1000：￥5.099633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+5：￥8.384654 +100：￥6.546731 +500：￥5.406403 +1000：￥4.266075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.641433 +100：￥7.523734 +500：￥6.214806 +1000：￥4.905877 +3000：￥4.321784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.459462 +6000：￥2.336523 +15000：￥2.248653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥6.016497 +6000：￥5.715755 +15000：￥5.500801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 16V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTHD4102PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.136243 +10：￥12.681042 +100：￥9.884283 +500：￥8.165205 +1000：￥6.446265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： ChipFET™

NTHD4102PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	750pF 16V
功率 - 最大值:	1.1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	ChipFET™
温度:	-55°C # 150°C（TJ）