品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA，880mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 33pF 5V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA，880mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 33pF 5V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA，880mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 33pF 5V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-363-6

系列： NTJD4158C

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V, 20 V

Id-连续漏极电流： 250 mA, 880 mA

Rds On-漏源导通电阻： 1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 800 mV, 450 mV

Qg-栅极电荷： 900 pC, 2.2 nC

Pd-功率耗散： 270 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 78 ns, 3.5 ns

正向跨导 - 最小值： 0.08 S, 3 S

高度： 0.9 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 66 ns, 6.5 ns

晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间： 56 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间： 15 ns, 5.8 ns

宽度： 1.25 mm

单位重量： 7.500 mg

温度： - 55 C~+ 150 C