品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，30A

功率 - 最大值： -

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 模具

供应商器件封装： 模具

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，30A

功率 - 最大值： -

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 模具

供应商器件封装： 模具

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： Die

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.2V @ 15V, 30A

Supplier Device Package： Die

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： -

Switching Energy： -

Test Condition： -

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

商标： onsemi

产品类型： IGBT Transistors

温度： ~