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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NGTB10N60R2DT4G_null
NGTB10N60R2DT4G
授权代理品牌

IGBT 10A 600V DPAK

+1:

¥8.818307

+10:

¥7.60538

+30:

¥6.938816

+100:

¥6.184835

+500:

¥5.846089

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A

功率 - 最大值: 72 W

开关能量: 412µJ(开),140µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 48ns/120ns

测试条件: 300V,10A,30 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 90 ns

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NGTB10N60R2DT4G_晶体管-IGBT
授权代理品牌
+1:

¥11.145794

+10:

¥8.091022

+30:

¥7.529604

+100:

¥6.968186

+500:

¥6.720501

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A

功率 - 最大值: 72 W

开关能量: 412µJ(开),140µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 48ns/120ns

测试条件: 300V,10A,30 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 90 ns

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: 175°C(TJ)

NGTB10N60R2DT4G_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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¥11.145794

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¥8.091022

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¥7.529604

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¥6.968186

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¥6.720501

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NGTB10N60R2DT4G_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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¥8.091022

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¥6.968186

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¥6.720501

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NGTB10N60R2DT4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A
功率 - 最大值: 72 W
开关能量: 412µJ(开),140µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 48ns/120ns
测试条件: 300V,10A,30 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 90 ns
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: 175°C(TJ)