NTMFD4901NFT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NTMFD4901NFT1G 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册	+1：￥5.747744 +10：￥4.851708 +30：￥4.40369 +100：￥3.955672 +500：￥3.68249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，17.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.648336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，17.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，17.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，17.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4901NFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： DFN-8 系列： NTMFD4901NF 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 13.5 A, 23.4 A Rds On-漏源导通电阻： 6.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： 19.1 nC, 42.7 nC Pd-功率耗散： 1.9 W, 2.07 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Dual 下降时间： 4 ns, 7 ns 产品类型： MOSFET 上升时间： 15 ns, 16 ns 晶体管类型： 2 N-Channel 典型关闭延迟时间： 14 ns, 25 ns 典型接通延迟时间： 9 ns, 14 ns 单位重量： 161.193 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

NTMFD4901NFT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.3A，17.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150pF 15V
功率 - 最大值:	1.1W，1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）