NTBG020N090SC1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥153.484434 +30：￥147.54	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥162.795843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥398.241768	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥556.952751 +10：￥513.670985 +100：￥438.64236	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥556.952751 +10：￥513.670985 +100：￥438.64236	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥451.129808 +10：￥400.295978 +25：￥373.980074 +50：￥362.374923 +100：￥350.11596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTBG020N090SC1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥434.910296 +10：￥389.297081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
NTBG020N090SC1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥297.639172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
NTBG020N090SC1 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥369.038302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N090SC1 onsemi(安森美) 授权代理品牌	SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263 下载数据手册未分类	+800：￥246.563369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTBG020N090SC1参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.8A（Ta），112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 60A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 15 V
Vgs（最大值）:	+19V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4415 pF 450 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.7W（Ta），477W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK-7
封装/外壳:	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）