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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD4906NA-35G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.100524

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.3A(Ta),54A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1932 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: I-Pak

封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak

温度: -

NTD4906NA-35G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装: I-PAK

NTD4906NA-35G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.3A(Ta),54A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1932 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-Pak
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
温度: -