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NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOS场效应管 NTJD4105CT2G SOT-363

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射频晶体管
+10：

￥2.13807

+200：

￥1.445829

+800：

￥1.061291

+3000：

￥0.769076

+6000：

￥0.730598

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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射频晶体管
+5：

￥0.692352

+50：

￥0.57329

+150：

￥0.51376

+500：

￥0.469111

+3000：

￥0.433393

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTJD4105CT2G_未分类
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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未分类
+3000：

￥4.10898

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTJD4105CT2G_未分类
NTJD4105CT2G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NTJD4105CT2G VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥0.821797

+500：

￥0.807463

+9000：

￥0.786066

+24000：

￥0.771732

+45000：

￥0.714605

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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射频晶体管
+3000：

￥0.665778

+6000：

￥0.625421

+15000：

￥0.585064

+30000：

￥0.536658

+75000：

￥0.51648

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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射频晶体管
+3000：

￥1.628669

+6000：

￥1.529947

+15000：

￥1.43122

+30000：

￥1.312807

+75000：

￥1.263445

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V

功率 - 最大值： 270mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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射频晶体管
+1：

￥5.742932

+10：

￥4.635368

+100：

￥3.158615

+500：

￥2.368823

+1000：

￥1.776618

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

NTJD4105CT2G_射频晶体管
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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射频晶体管
+1：

￥5.742932

+10：

￥4.635368

+100：

￥3.158615

+500：

￥2.368823

+1000：

￥1.776618

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTJD4105CT2G_未分类
NTJD4105CT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

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未分类
+1：

￥6.791385

+10：

￥5.481619

+100：

￥3.735262

+500：

￥2.813573

+1000：

￥2.102096

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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NTJD4105CT2G_未分类
NTJD4105CT2G
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

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未分类
+3000：

￥1.123215

+9000：

￥1.018934

+24000：

￥1.00637

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货期：7~10 天

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NTJD4105CT2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V，8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA，775mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 375 毫欧 630mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 46pF 20V
功率 - 最大值: 270mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: -55°C # 150°C（TJ）