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NTJD5121NT2G_null
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
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￥0.828834

+50：

￥0.678584

+150：

￥0.603404

+500：

￥0.547129

+3000：

￥0.501998

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTJD5121NT2G_未分类
NTJD5121NT2G
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

NTJD5121NT2G JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+150：

￥0.293458

+3000：

￥0.270884

+9000：

￥0.259656

+15000：

￥0.255141

+69000：

￥0.243796

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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NTJD5121NT2G_射频晶体管
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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射频晶体管
+3000：

￥0.472231

+6000：

￥0.431643

+9000：

￥0.410755

+15000：

￥0.387178

+21000：

￥0.373106

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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NTJD5121NT2G_射频晶体管
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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射频晶体管
+3000：

￥1.155201

+6000：

￥1.055913

+9000：

￥1.004816

+15000：

￥0.94714

+21000：

￥0.912716

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 295mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 20V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTJD5121NT2G_射频晶体管
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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射频晶体管
+1：

￥4.283618

+10：

￥2.891441

+100：

￥1.945986

+500：

￥1.49835

+1000：

￥1.349034

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

NTJD5121NT2G_射频晶体管
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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射频晶体管
+1：

￥4.283618

+10：

￥2.891441

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￥1.945986

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￥1.49835

+1000：

￥1.349034

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTJD5121NT2G_未分类
NTJD5121NT2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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未分类
+1：

￥6.467328

+10：

￥3.963312

+100：

￥1.873867

+1000：

￥1.492461

+3000：

￥1.2603

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTJD5121NT2G_未分类
NTJD5121NT2G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

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未分类
+3000：

￥0.996768

+6000：

￥0.987481

+9000：

￥0.931762

+24000：

￥0.888423

+30000：

￥0.879136

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NTJD5121NT2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 295mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 26pF 20V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: -55°C # 150°C（TJ）