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NSVMUN5312DW1T2G_晶体管-双极
NSVMUN5312DW1T2G
ON(安森美)
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TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

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晶体管-双极
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

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TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

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￥0.767805

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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￥0.733893

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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晶体管-双极
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￥0.616445

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

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晶体管-双极
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￥1.507989

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￥1.300743

+30000：

￥1.281462

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￥1.204491

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 250mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度：

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晶体管-双极
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￥5.528434

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￥4.337694

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￥2.601199

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￥2.408979

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￥1.637977

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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晶体管-双极
+1：

￥5.528434

+10：

￥4.337694

+100：

￥2.601199

+500：

￥2.408979

+1000：

￥1.637977

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 250mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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￥6.319801

+10：

￥4.958614

+100：

￥2.754786

+1000：

￥1.879737

+3000：

￥1.652872

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： MUN5312DW1

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 6.200 mg

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NSVMUN5312DW1T2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 60 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: