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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9952A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NDS9952A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDS9952A 下载数据手册未分类	+1：￥2.365807 +10：￥1.920229 +30：￥1.729267 +100：￥1.548914 +500：￥1.421606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9952A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.452238 +5000：￥2.229322 +12500：￥2.14355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9952A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.998822 +5000：￥5.453512 +12500：￥5.243692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NDS9952A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.884192 +10：￥12.368265 +25：￥11.747727 +100：￥8.809379 +250：￥8.725506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	NDS9952A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

NDS9952A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A，2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	320pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）