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搜索 NSBC114YPDXV6T1G 共 10 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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晶体管-双极
+1：

￥3.771207

+10：

￥2.514138

+30：

￥2.095115

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

自营 现货库存
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NSBC114YPDXV6T1G_null
NSBC114YPDXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
+1：

￥2.115541

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￥1.774886

+30：

￥1.6288

+100：

￥1.48282

+500：

￥1.385429

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

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NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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晶体管-双极
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￥2.24455

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￥2.118831

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

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自营 国内现货
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NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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晶体管-双极
+4000：

￥0.656408

+8000：

￥0.619922

+12000：

￥0.602027

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

Digi-Key
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NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
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晶体管-双极
+4000：

￥1.605749

+8000：

￥1.516494

+12000：

￥1.472718

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 500mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度：

NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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晶体管-双极
+1：

￥7.225446

+10：

￥5.440335

+100：

￥3.390293

+500：

￥2.319227

+1000：

￥1.784118

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

NSBC114YPDXV6T1G_晶体管-双极
NSBC114YPDXV6T1G
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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晶体管-双极
+1：

￥4.309708

+10：

￥3.203384

+30：

￥2.988724

+100：

￥2.790577

+500：

￥2.691503

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 500mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Mouser
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NSBC114YPDXV6T1G_晶体管
NSBC114YPDXV6T1G
ON(安森美)
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晶体管
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￥

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￥

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： NSBC114YPDXV6

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 10 kOhms

典型电阻器比率： 0.21

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80, 140

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 80

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 1.2 mm

单位重量： 3 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NSBC114YPDXV6T1G_未分类
NSBC114YPDXV6T1G
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

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未分类
+1：

￥6.006725

+10：

￥5.197166

+25：

￥4.510397

+100：

￥2.808469

+250：

￥2.317308

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
NSBC114YPDXV6T1G_未分类
NSBC114YPDXV6T1G
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

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未分类
+1：

￥1.327847

+10：

￥1.120818

+100：

￥0.645362

+500：

￥0.611095

库存： 0

货期：7~10 天

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NSBC114YPDXV6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: