搜索 NSVMUN5212DW1T1G 共 7 条相关记录
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自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +3000： ￥0.307754 +6000： ￥0.279424 +9000： ￥0.26479 +15000： ￥0.248216 +21000： ￥0.238398 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +3000： ￥0.752847 +6000： ￥0.683544 +9000： ￥0.647745 +15000： ￥0.607204 +21000： ￥0.583184 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥2.906741 +10： ￥1.942926 +100： ￥1.297324 +500： ￥0.991046 +1000： ￥0.88778 | 系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 250mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥2.906741 +10： ￥1.942926 +100： ￥1.297324 +500： ￥0.991046 +1000： ￥0.88778 | 系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 250mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mouser
艾睿
NSVMUN5212DW1T1G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 22 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 22 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 60 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 功率 - 最大值: | 250mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 温度: |