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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.107106 +200：￥5.463635 +500：￥5.277871 +1000：￥5.179526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.253675 +10000：￥5.07978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥9.078334 +10000：￥8.777842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册	+5000：￥12.254143	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Reel 封装/外壳： DFN-5 系列： NVMFS5C670NL 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 71 A Rds On-漏源导通电阻： 5.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： 20 nC Pd-功率耗散： 61 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 4 ns 产品类型： MOSFET 上升时间： 60 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 15 ns 典型接通延迟时间： 11 ns 单位重量： 175 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C670NLWFAFT3G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥17.52517 +10000：￥17.350792 +15000：￥17.176411 +20000：￥17.005203 +25000：￥16.833993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFS5C670NLWFAFT3G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.1 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	61W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）