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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.835523 +200：￥3.270025 +800：￥2.400398 +3000：￥1.739375 +6000：￥1.652376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.196381 +50：￥1.6828 +150：￥1.464254 +500：￥1.180145 +2500：￥1.059945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥6.950381 +6000：￥5.957469 +15000：￥5.361722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥2.728621 +6000：￥2.680337 +9000：￥2.632054 +12000：￥2.58377 +15000：￥2.559576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.170938 +10：￥1.141418 +50：￥1.111899	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.200458 +100：￥1.180778 +500：￥1.161098 +2000：￥1.141418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.555848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.66698 +6000：￥1.625306 +9000：￥1.597523 +12000：￥1.583631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+30：￥2.927232 +100：￥2.242944 +750：￥1.868486 +1500：￥1.699315 +3000：￥1.558656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NTJD1155LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.933617 +6000：￥0.886132 +9000：￥0.822821 +30000：￥0.803839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTJD1155LT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175 毫欧 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	400mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88/SC70-6/SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）