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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.639913 +300：￥1.108965 +1000：￥0.814088 +4000：￥0.589875 +8000：￥0.560351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTZD3155CT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTZD3155CT1G 下载数据手册未分类	+5：￥0.600179 +50：￥0.528058 +150：￥0.491999 +500：￥0.464954 +2500：￥0.396788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.065254 +10：￥2.021545 +30：￥1.988763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.395316	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.054943 +100：￥1.035958 +200：￥1.017205 +500：￥0.998336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.861505 +200：￥0.846108 +500：￥0.830712 +1000：￥0.819135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.030402 +4000：￥1.013153 +8000：￥0.987107 +16000：￥0.978425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTZD3155CT1G 授权代理品牌	NTZD3155CT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.194669 +100：￥1.152995 +500：￥1.113057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTZD3155CT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTZD3155CT1G TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+4000：￥0.687629 +12000：￥0.647576 +20000：￥0.630327 +28000：￥0.590273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTZD3155CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.650403 +8000：￥0.599121 +12000：￥0.572793 +20000：￥0.543087 +28000：￥0.525389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA，430mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF 16V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTZD3155CT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	540mA，430mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150pF 16V
功率 - 最大值:	250mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）