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NSB1706DMW5T1G参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1): | 4.7 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 80 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 250mV 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
频率 - 跃迁: | - |
功率 - 最大值: | 250mW |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 |
供应商器件封装: | SC-88A(SC-70-5/SOT-353) |
温度: |